직무 · 삼성전자 / 공정기술
Q. 안녕하세요 삼성전자 메모리사업부 공정기술직무에 질문이 있습니다!
저는 공정기술 직무를 준비중인 학생입니다 :) 준비를 하며 삼성전자 메모리사업부 공정기술 직무 현직자분께 궁금한 점이 생겨 질문드립니다! 1. 공정기술 직무에서 이루고 싶은 목표는 무엇인가요 ? 2. 최근 공정기술 내에서 이슈가 되는 부분을 여쭤봐도 될까요? 4. 업무 중 가장 어렵다고 생각하는 부분은 무엇인가요? 5. D램에 EUV 공정 도입에 따른 공정기술 업무에 추가되는 부분이 있나요 ? 아니면 더욱 신경써야 할 부분이 무엇인가요? - 포토 공정과 포토 이외의 공정 두 경우 다 답변주시면 감사하겠습니다! 6. 공정기술 JD에 계측 기술이 있던데, 사용하는 계측기 중에 sem, ellisometry, xrd 가 있나요? 이외의 계측기는 무엇이 있나요? 7. 어떤 역량을 가진 후배가 들어오길 바라시나요? 긴 글 읽어주셔서 감사합니다 :)
2021.08.23
답변 3
- ☆☆거북이☆삼성전자코차장 ∙ 채택률 71% ∙일치회사
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공정기술에도 팀이 너무나 다양해서 말씀드리기 어렵지만 공정기술팀에서는 보통 파티클 발생관련 지속 모니터링 및 개선, 두께 프로파일관리, 레시피조정을통한 수율향상 업무를 하는데 관련경험이 있으면 좋겠지만, 없어도 오셔서 배우면 되구요. 어느정도의 기본 반도체지식이면 충분하기는합니다!!
- wwhocanstopmenow어플라이드머티어리얼즈코부사장 ∙ 채택률 66%
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공정기술 직무는 디펙트 제거가 최종 목표 입니다. 최근 공정에서 euv CD 수율을 잡지 못하여서 고민중입니다. 업무중 가장 어려운 것은 뭐,, DEFECT 잡는거 PARAMETER 공정 잡는 것도 어렵습니다. 계측 장비 KLA 장비 많이 사용하구요 SEM XRD 있습니다.
- mmasteric삼성전자코부사장 ∙ 채택률 76% ∙일치회사
1. 수율증가가 목표입니다. 2.이건 말씀드리기가.. 3.defect잡는거나 원인불명이 되게많습니다 4.계측기 말씀하신거 거의다 사용합니다. 5.딱히없습니다 들어만오기를 제발
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Q. 진로가 공정 엔지니어라면 필요한 경험이 무엇인가요.
이번에 삼턴 공정기술 지원했다가 떨어져서 하반기까지 남은 기간 동안 스펙을 더 쌓으려고 합니다. 수도권 4년제 학점은 4.2X이고 공정 연구실 다니면서 포토, 증착, PR코터, 식각 장비 경험과 PVD 레시피 최적화, 소자 제작 및 분석, 반도체 학회 포스터 발표 등 공정 관련 경험은 나름 충분하다고 생각합니다. 다만 데이터 분석 쪽 경험이 소자 iv curve 말고는 딱히 없어 ADsP 취득이나 렛X인 데이터 분석 교육 같은 걸 들을까 고민 중이지만 큰 의미가 없을 것 같다는 생각도 듭니다. 학생 신분으로는 인턴이나 일 경험을 찾기도 힘든 상황이고요. 반도체 관련 경험을 더 쌓아본다면 논문 작성이나 TCAD를 배워 볼 수 있기는 합니다. 현재 상황에서 반도체 경험과 데이터 관련 자격증 or 교육, 경험과 자소서 다듬기 중 어떤 방향을 나아갈 지 잘 모르겠습니다. 현직자분들은 어떤 방향을 추천하시나요? 감사합니다.
Q. 전자공학과 스펙쌓기
안녕하세요 공정기술/양산기술 직무 목표로 하는 전자공학과 2학년 수료한 학생입니다. 지금껏 열심히 공부를 해와서 지금까지 총 학점 4.29 전공학점 4.45를 받았습니다. 그런데 제가 공부에만 집중을 해와서 무슨 스펙을 쌓아야 하는지 전혀 감이 안 잡혀서 질문드립니다. 이번 방학에는 영어회화, 물리전자 복습, 전자회로 예습, 파이썬 조금씩 시작하려 합니다. 또 3-1 여름 방학에 학부 연구생 지원 예정이고, 오픽도 3학년 겨울 쯤에는 응시할 예정입니다. 그 외에 스펙으로 프로젝트 이야기를 많이 하시던데 구체적으로 어떤 프로젝트를 말하는 거고, 혼자서 하기만 해도 프로젝트라고 부르는 건지 잘 모르겠습니다.. 학교 간판에서 메리트가 있지 않다 보니까 스펙이 중요할 거 같은데, 어떤 것이 저에게 필요할지 조언 부탁드립니다.
Q. 물리적 특성과 전기적 특성에 대해서 질문드립니다.
안녕하세요. 시뮬레이션을 기반으로 MOS 커패시터를 모델링도 해보고 공정실습을 통해 제작을 해봤습니다. 그 중 C-V 분석이나 데이터 분석을 통해 게이트 및 반도체 기판 도핑농도와 산화막 두께로 부터 플랫 밴드 전압, 산화막 커패시턴스, 문턱 전압, 전기장, 전위, 캐리어 농도 등 파라미터를 도출했습니다. 제가 아직 물리적 특성과 전기적 특성을 구분을 잘 못하는 것 같습니다. 알려주시면 감사합니다. 추가로 게이트 물질이 poly-si와 metal일 때 파라미터 값이 달라지면 어떠한 것에 의해서 달라지는 것인지도 알려주시면 감사하겠습니다.
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