대학생활 · 모든 회사 / 공정기술
Q. 에칭공정에서 high aspect ratio 구현 방법
안녕하세요 에칭공정을 공부하다 궁금증이 생겨 질문드립니다. 요즘 high aspect ratio를 구현하는 것이 중요하다고 들었는데 high aspect ratio를 구현하는 방법이 궁금합니다. 제가 생각하는 방법은 강한 Bias를 적용하여 Etchant gas를 깊은 위치까지 보내고, 높은 온도와 반응성이 좋은 F가스에 O2가스를 첨가하는 방법이라고 생각하는데 맞는지 궁금합니다. 현직자분들의 의견 듣고 싶습니다. 귀중한 시간 내주셔서 감사합니다.
2024.09.05
답변 1
- 삼삼성가고싶은하루
같은 대학생이지만 답글을 적습니다. Aspect Ratio는 사실 공정을 진행할때 좋지 않은 파라미터라고 생각합니다. 종횡비가 크면 그만큼 증착이나 식각을 진행할때 공정상 어려움이 크니까요. 그래서 사실 HAR를 구현하는게 중요하다기 보단, 미세화로 인해서 어쩔수 없이 HAR 구조를 채택하게 되었다고 이해하는게 더 올바르다고 생각합니다. 여튼 본론으로 돌아가 현재는 DRAM의 커패시터라던지 NAND Flash 구조에서 HAR구조를 많이 채택하는데, 이때 사용 하는 공정이 DeepRIE 공정으로 알고 있습니다. 구글에 DRIE 혹은 Bosch공법이라고 검색 하시면 정보가 많이 나올겁니다! 말씀해주신 방법은 위에 언급한 공법에서 쓰이는 방법이니 맞는거 같네요.
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