Q. 삼성전자 DS 부문 반도체연구소 차세대 logic 소자연구/개발
안녕하세요 저는 전자공학과 석사학위를 마치고 이번 상반기에 삼성전자 반도체연구소에 지원을 하고 싶은 취준생입니다.
석사학위동안 저는 유·무기물 반도체를 이용하여 thin film transistor 를 설계 및 제작하고, 제작된 트랜지스터를 기반으로 not, or, nand gate 등의 logic gate 를 제작 및 테스트를 한 경험이 있습니다. 뿐만 아니라 트랜지스터를 독특한 구조로 변형시켜 3진 인버터를 제작한 경험이 있습니다.
이러한 경험을 하면서 logic 소자를 설계 및 제작하는게 흥미로워져서 반도체연구소 차세대 logic 소자연구/개발 직무에 도전을 하고 싶어졌습니다.
그런데 여기서 제가 하고 싶은질문은 2가지 입니다.
1) 실제 logic 소자연구/개발 팀에서는 top down 형식의 mosfet 을 이용하는지?
2) 만약 그렇다면 bottom up 형식의 thin film transistor 를 제작해온 경험을 가진 저는 직무에 맞는지?
답변부탁드립니다